Vishay Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 4-Microfoot |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 76 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 615pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 19nC @ 8V |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI8817DB-T2-E1CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 8 V |
| 连续漏极电流 | - 2.9 A |
| 系列 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
| RDS（ON） | 76 mOhms |
| 功率耗散 | 0.9 W |
| 商品名 | P-Channel Gen III |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 7.5 nC |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.65 mm |
| 长度 | 1.6 mm |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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