vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4Micro Foot |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 4.6 A |
| RDS -于 | 46@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 典型下降时间 | 90 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 4-Microfoot |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 46 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.47W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 26nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA, CSPBGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI8409DB-T1-E1CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 3.6 A |
| 封装/外壳 | Micro Foot-4 |
| 零件号别名 | SI8409DB-E1 |
| 下降时间 | 35 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | TrenchFET/MICRO FOOT |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 6.4 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| RDS（ON） | 1.052 Ohms |
| 功率耗散 | 1.47 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 35 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 系列 | SI8 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.65 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 长度 | 1.6 mm |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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