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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 36.5 A |
| RDS -于 | 2.6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 27|125 ns |
| 典型上升时间 | 13|110 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 130|107 ns |
| 典型下降时间 | 27|43 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.04 |
| 最大功率耗散 | 6250 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| Package Length | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 36.5 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 15660pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 413nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7145DP-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 60 A |
| 零件号别名 | SI7145DP-GE3 |
| 下降时间 | 43 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 110 S |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| RDS（ON） | 2.6 mOhms |
| 功率耗散 | 104 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 110 ns |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| 栅极电荷Qg | 129 nC |
| Continuous Drain Current Id | :-60A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :3.75mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-2.3V |
| 功耗 | :104W |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
| No. of Pins | :8 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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