所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 3200 |
| 最大漏源电压 | 150 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 1200@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK 1212 |
| 标准包装名称 | PowerPAK 1212 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | P |
| Package Length | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.04 |
| 最大连续漏极电流 | 1.1 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.1A (Ta), 2.17A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 12.5W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 510pF @ 25V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 12nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.1 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 1.2 Ohms |
| 功率耗散 | 3.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SI7117DN-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 栅源电压(最大值) | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 150 V |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 1.07mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3.15mm |
| 典型输入电容值@Vds | 340 pF @ -25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 1.3 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 3.15mm |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 1.07mm |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.7 nC @ -10 V |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
咨询QQ
热线电话