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Thumbnail SI7117DN-T1-GE3 Thumbnail SI7117DN-T1-GE3 Thumbnail SI7117DN-T1-GE3
厂商型号:

SI7117DN-T1-GE3

芯天下内部编号:
5-SI7117DN-T1-GE3
生产厂商:

Vishay / Siliconix

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
Package Width 3.05
PCB 8
最大功率耗散 3200
最大漏源电压 150
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1200@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 PowerPAK 1212
标准包装名称 PowerPAK 1212
最高工作温度 150
渠道类型 P
Package Length 3.05
引脚数 8
通道模式 Enhancement
Package Height 1.04
最大连续漏极电流 1.1
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.1A (Ta), 2.17A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 150V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PowerPAK® 1212-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 12.5W
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
输入电容(Ciss ) @ VDS 510pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 12nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.1 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 1.2 Ohms
功率耗散 3.2 W
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 SI7117DN-GE3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 150 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
栅源电压(最大值) �20 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 PowerPAK 1212
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 150 V
弧度硬化 No
高度 1.07mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.15mm
典型输入电容值@Vds 340 pF @ -25 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 1.3 Ω
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 12.5 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 3.15mm
尺寸 3.15 x 3.15 x 1.07mm
最小栅阈值电压 2.5V
最大漏源电压 150 V
典型接通延迟时间 7 ns
典型关断延迟时间 16 ns
封装类型 PowerPAK 1212
最大连续漏极电流 1.7 A
引脚数目 8
晶体管配置
典型栅极电荷@Vgs 7.7 nC @ -10 V
系列 SI7
品牌 Vishay Semiconductors
商品名 TrenchFET
技术 Si

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