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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8TSSOP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A |
| RDS -于 | 30@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 典型下降时间 | 17 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 4.4 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1050 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 30@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSSOP |
| 标准包装名称 | TSSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 3 |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1 |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 30 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.05W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI6435ADQ-T1-E3CT |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-5.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :30mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1V |
| 功耗 | :1.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TSSOP |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | :4.7A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :-30V |
| Voltage Vgs Max | :-1V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| ChannelType | P |
| Current,Drain | -90A |
| FallTime | 25ns |
| GateCharge,Total | 240nC |
| OperatingandStorageTemperature | -55to+150°C |
| PackageType | TSSOP-8 |
| 极化方式 | P-Channel |
| PowerDissipation | 1.05W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.0118Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 120°C/W |
| Time,Rise | 20ns |
| Time,Turn-OffDelay | 60ns |
| Time,Turn-OnDelay | 20ns |
| Transconductance,Forward | 12S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | -30V |
| Voltage,DiodeForward | -1.1V |
| Voltage,DraintoSource | -30V |
| Voltage,Forward,Diode | -1.1V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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