vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8Chip FET |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| RDS -于 | 144@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 34 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型下降时间 | 8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Ta), 3.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.8W |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 276pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.8nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI5855CDC-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 2.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 144 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 1900 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SI5855CDC-E3 |
| 上升时间 | 34 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 34 ns |
| 高度 | 1.1mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3.1mm |
| 典型输入电容值@Vds | 276 pF @ -10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 222 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.8 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns |
| 封装类型 | 1206 ChipFET |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.5 nC @ -5 V |
| 系列 | SI5 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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