Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 1300 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 36@4.5V@N Channel|100@4.5V@P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 1.65 |
| 供应商封装形式 | Chip FET |
| Package Length | 3.05 |
| PCB | 8 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4@N Channel|3.1@P Channel |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 632pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.3nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI5515CDC-T1-GE3CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 9.5 S, 22.4 S |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | 1206-8 ChipFET |
| 零件号别名 | SI5515CDC-GE3 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 7.5 nC, 7 nC |
| Continuous Drain Current Id | :4A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.03ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :400mV |
| 功耗 | :3.1W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :1206 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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