Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 5.4 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 28 mOhms |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SI5404BDC-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :7.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :39mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :2.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.5V |
| No. of Pins | :8 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
