vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.3 A |
| RDS -于 | 19@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 典型下降时间 | 60 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.3 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 19 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 上升时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 商品名 | TrenchFET |
| 零件号别名 | SI4943BDY-E3 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1100 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 19@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6.3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19 mOhm @ 8.4A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4943BDY-T1-E3CT |
| RDS（ON） | 19 mOhms |
| 漏极电流（最大值） | 6.3 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.019 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Current,Drain | -6.3A |
| GateCharge,Total | 17nC |
| PackageType | SO-8 |
| 极化方式 | P-Channel |
| PowerDissipation | 1.1W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.019Ohms |
| Temperature,Operating | -55to150°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 85°C/W |
| Time,Turn-OffDelay | 94ns |
| Time,Turn-OnDelay | 11ns |
| Transconductance,Forward | 20S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | -20V |
| Voltage,Forward,Diode | -1.2V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 系列 | SI4 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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