vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 22@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1700 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 22@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 3.3W |
| 匹配代码 | SI4850EY-T1-GE3 |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 27nC |
| LLRDS （上） | 0.031Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 8.5A |
| V（ DS ） | 60V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.022Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.7W |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4850EY-T1-GE3CT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :6A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.018ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :3.3W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :8.5A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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