vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 9.5 A |
| RDS -于 | 9@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 典型下降时间 | 70 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 9@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Package Height | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 9.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 60nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4466DY-T1-E3CT |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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