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Thumbnail SI4442DY-T1-E3 Thumbnail SI4442DY-T1-E3 Thumbnail SI4442DY-T1-E3 Thumbnail SI4442DY-T1-E3
厂商型号:

SI4442DY-T1-E3

芯天下内部编号:
5-SI4442DY-T1-E3
生产厂商:

vishay / siliconix

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 15 A
RDS -于 4.5@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 17 ns
典型上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 125 ns
典型下降时间 47 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
Package Width 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1600
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 4.5@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 5(Max)
引脚数 8
Package Height 1.55(Max)
最大连续漏极电流 15
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 15A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.5 mOhm @ 22A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.6W
闸电荷(Qg ) @ VGS 50nC @ 4.5V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI4442DY-T1-E3CT
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 22 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4.5 mOhms
功率耗散 1.6 W
商品名 TrenchFET
封装/外壳 SO-8
零件号别名 SI4442DY-E3
上升时间 11 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 11 ns
Continuous Drain Current Id :22A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :4.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.5V
功耗 :3.5W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :22A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :1.5V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 2.27
Tariff No. 85412900

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