Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Ta), 18.4A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.8 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 6W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1970pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 67nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4190ADY-T1-GE3CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 2.8 V |
| 连续漏极电流 | 18.4 A |
| RDS（ON） | 8.8 mOhms |
| 功率耗散 | 6 W |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 零件号别名 | SI4190ADY-GE3 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| Continuous Drain Current Id | :18.4A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0073ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.5V |
| 功耗 | :6W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.00012 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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