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厂商型号:

SI3454ADV-T1-E3

芯天下内部编号:
5-SI3454ADV-T1-E3
生产厂商:

vishay / siliconix

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6TSOP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.4 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 7 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
Package Width 1.65
PCB 6
最大功率耗散 1140
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 60@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 3.05
引脚数 6
Package Height 1(Max)
最大连续漏极电流 3.4
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.4A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 6-TSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.14W
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V
封装/外壳 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI3454ADV-T1-E3CT
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single
外形尺寸 3.05 x 1.65 x 1mm
身高 1mm
长度 3.05mm
最大漏源电阻 0.06 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.14 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TSOP
典型栅极电荷@ VGS 9 nC V @ 10
宽度 1.65mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 4.5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 60 mOhms
功率耗散 1.14 W
商品名 TrenchFET
封装/外壳 TSOP-6
零件号别名 SI3454ADV-E3
上升时间 10 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 10 ns
Continuous Drain Current Id :4.5A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :60mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TSOP
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :3.4A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :3V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85412900
Current,Drain 3.4A
GateCharge,Total 9nC
PackageType TSOP-6
极化方式 N-Channel
PowerDissipation 1.14W
Resistance,DraintoSourceOn 0.048Ohm
Temperature,Operating,Maximum +150°C
Temperature,Operating,Minimum -55°C
Time,Turn-OffDelay 20ns
Time,Turn-OnDelay 10ns
Transconductance,Forward 10S
Voltage,Breakdown,DraintoSource 30V
Voltage,Forward,Diode 0.8V
Voltage,GatetoSource ±20V

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