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Thumbnail SI2351DS-T1-E3 Thumbnail SI2351DS-T1-E3 Thumbnail SI2351DS-T1-E3
厂商型号:

SI2351DS-T1-E3

芯天下内部编号:
5-SI2351DS-T1-E3
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.2 A
RDS -于 115@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型下降时间 16 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
Package Width 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 115@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
Package Length 3.04(Max)
引脚数 3
Package Height 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.1W
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 250pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 5.1nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2351DS-T1-E3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 2.2 A
正向跨导 - 闵 5.5 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 115 mOhms
功率耗散 1 W
最低工作温度 - 55 C
零件号别名 SI2351DS-E3
上升时间 30 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
栅源电压(最大值) �12 V
漏源导通电阻 0.115 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-2.8A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :0.092ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-600mV
功耗 :1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-236
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.00001
Tariff No. 85412900

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