vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A |
| RDS -于 | 35@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1250 |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 35@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 3.04(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1.02(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 1.25W |
| 匹配代码 | SI2333CDS |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 15 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 4.5A |
| V（ DS ） | 12V |
| R（ DS上） | 0.036Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7.1A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1225pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI2333CDS-T1-GE3CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 身高 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大漏源电阻 | 0.035 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 15 nC V @ 4.5, 9 nC V @ 2.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 1225 pF V @ 6 |
| 宽度 | 1.4mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 5.1 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 35 mOhms |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 零件号别名 | SI2333CDS-GE3 |
| 上升时间 | 35 ns |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 35 ns |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.035 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 12 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :-7.1A |
| Drain Source Voltage Vds | :-12V |
| On Resistance Rds(on) | :28.5mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-400mV |
| 功耗 | :2.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | :-7.1A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :8V |
| Weight (kg) | 0.000008 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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