vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 45@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 750 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 45@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-236 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 3.04(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 1.02(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 0.75W |
| 匹配代码 | SI2318DS |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 17 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 3.9A |
| V（ DS ） | 40V |
| R（ DS上） | 0.045Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 750mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 540pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI2318DS-T1-E3CT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :3.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :58mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :20V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| 功耗 | :750mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :3A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| ChannelType | N |
| Current,Drain | 3.9A |
| FallTime | 25ns |
| GateCharge,Total | 15nC |
| OperatingandStorageTemperature | -55to+150°C |
| PackageType | TO-236(SOT-23) |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 1.25W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.058Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | –55°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 100°C/W |
| Time,Rise | 20ns |
| Time,Turn-OffDelay | 30ns |
| Time,Turn-OnDelay | 10ns |
| Transconductance,Forward | 11S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 40V |
| Voltage,DiodeForward | 1.2V |
| Voltage,DraintoSource | 40V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.2V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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