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Thumbnail SI1967DH-T1-GE3 Thumbnail SI1967DH-T1-GE3 Thumbnail SI1967DH-T1-GE3 Thumbnail SI1967DH-T1-GE3 Thumbnail SI1967DH-T1-GE3
厂商型号:

SI1967DH-T1-GE3

芯天下内部编号:
5-SI1967DH-T1-GE3
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 6SC-70
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 1 A
RDS -于 490@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 1.3 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.49 Ohms
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SC-70-6
封装 Reel
正向跨导gFS (最大值/最小值) 2 S
栅极电荷Qg 2.6 nC
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 1.25 W
零件号别名 SI1967DH-GE3
最大门源电压 ±8
Package Width 1.25
PCB 6
最大功率耗散 740
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 490@4.5V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-70
标准包装名称 SOT-323
最高工作温度 150
Package Length 2
引脚数 6
Package Height 1(Max)
最大连续漏极电流 1
铅形状 Gull-wing
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.3A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 SC-70-6 (SOT-363)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 490 mOhm @ 910mA, 4.5V
FET型 2 P-Channel (Dual)
功率 - 最大 1.25W
输入电容(Ciss ) @ VDS 110pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 8V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI1967DH-T1-GE3CT
产品种类 MOSFET
正向跨导 - 闵 2 S
RDS(ON) 490 mOhms
栅源电压(最大值) �8 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-70
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-1.3A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :0.64ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-1.8V
Threshold Voltage Vgs :-400mV
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-363
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900

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