vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SC-70 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.24 A |
| RDS -于 | 2500@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 3.8 ns |
| 典型上升时间 | 4.8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12.8 ns |
| 典型下降时间 | 9.6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 240mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 Ohm @ 250mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 280mW |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1330EDL-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.24 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2.5 Ohms |
| 功率耗散 | 280 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-323-3 |
| 零件号别名 | SI1330EDL-E3 |
| 上升时间 | 4.8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| Continuous Drain Current Id | :240mA |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :1ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :280mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-323 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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