Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SC-89 |
| 包装高度 | 0.6(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 236 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 99@4.5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.2 |
| 供应商封装形式 | SC-89 |
| 包装长度 | 1.7(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 |
| 引脚数 | 6 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.55V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 236mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 385pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.3nC @ 5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1070X-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 1.2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 99 mOhms |
| 功率耗散 | 236 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SC-89-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 零件号别名 | SI1070X-GE3 |
| 上升时间 | 22 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| Continuous Drain Current Id | :1.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :140mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :12V |
| Threshold Voltage Vgs Typ | :1.55V |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
