Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.06A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 950mV @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 236mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 375pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.3nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 1.06 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 214 mOhms |
| 功率耗散 | 236 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 零件号别名 | SI1067X-GE3 |
| 上升时间 | 22 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 22 ns |
| Continuous Drain Current Id | :1.06A |
| Drain Source Voltage Vds | :-20V |
| On Resistance Rds(on) | :150mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-950mV |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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