所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SC-75A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 A |
| RDS -于 | 700@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±6 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±6 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SC-75 |
| Package Height | 0.7 |
| 最大功率耗散 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 700@4.5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 0.76 |
| 供应商封装形式 | SC-75A |
| Package Length | 1.58 |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.5 |
| 引脚数 | 3 |
| P( TOT ) | 0.15W |
| 匹配代码 | SI1012R-T1-GE3 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 15 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我(D ) | 0.6A |
| V( DS ) | 20V |
| R( DS上) | 0.7Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 500mA (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 900mV @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-75A |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 0.75nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SC-75A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1012R-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 6 V |
| 连续漏极电流 | 0.6 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 700 mOhms |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SC-75A-3 |
| 零件号别名 | SI1012R-GE3 |
| 上升时间 | 5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| Continuous Drain Current Id | :600mA |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.41ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :900mV |
| 功耗 | :150mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-416 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
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