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Thumbnail SI1012R-T1-GE3 Thumbnail SI1012R-T1-GE3 Thumbnail SI1012R-T1-GE3
厂商型号:

SI1012R-T1-GE3

芯天下内部编号:
5-SI1012R-T1-GE3
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SC-75A
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 0.5 A
RDS -于 700@4.5V mOhm
最大门源电压 ±6 V
典型导通延迟时间 5 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 11 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±6
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SC-75
Package Height 0.7
最大功率耗散 150
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 700@4.5V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
Package Width 0.76
供应商封装形式 SC-75A
Package Length 1.58
PCB 3
最大连续漏极电流 0.5
引脚数 3
P( TOT ) 0.15W
匹配代码 SI1012R-T1-GE3
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我(D ) 0.6A
V( DS ) 20V
R( DS上) 0.7Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 500mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 900mV @ 250µA
供应商设备封装 SC-75A
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 700 mOhm @ 600mA, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 150mW
漏极至源极电压(Vdss) 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 0.75nC @ 4.5V
封装/外壳 SC-75A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI1012R-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 6 V
连续漏极电流 0.6 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 700 mOhms
功率耗散 150 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SC-75A-3
零件号别名 SI1012R-GE3
上升时间 5 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 5 ns
Continuous Drain Current Id :600mA
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :0.41ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :900mV
功耗 :150mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-416
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900

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