图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
SI1012CR-T1-GE3 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 630mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SC-75A |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 240mW |
| 封装/外壳 | SC-75, SOT-416 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 43pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | * |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 0.63 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7.5 S |
| RDS（ON） | 330 mOhms |
| 功率耗散 | 0.24 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 1.3 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 零件号别名 | SI1012CR-GE3 |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 11 ns |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SC-75A |
| 引脚数 | 3 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :630mA |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.33ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :400mV |
| 功耗 | :240mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-75A |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0025 |
| Tariff No. | 85412900 |
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