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厂商型号:

IRL630PBF

芯天下内部编号:
5-IRL630PBF
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 200 V
最大连续漏极电流 9 A
RDS -于 400@5V mOhm
最大门源电压 ±10 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 57 ns
典型关闭延迟时间 38 ns
典型下降时间 33 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
标准包装 Rail / Tube
单位包 50
最小起订量 1000
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 *IRL630PBF
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 400 mOhm @ 5.4A, 5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 74W
漏极至源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1100pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 40nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
身高 9.01mm
长度 10.41mm
最大漏源电阻 0.4 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 74 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 TO-220AB
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 40 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1100 pF V @ 25
宽度 4.7mm
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 10 V
连续漏极电流 9 A
正向跨导 - 闵 4.8 S
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 400 mOhms
功率耗散 74 W
封装/外壳 TO-220-3
栅极电荷Qg 40 nC
上升时间 57 ns
漏源击穿电压 200 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 33 ns
漏极电流(最大值) 9 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �10 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.4 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 200 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :9A
Drain Source Voltage Vds :200V
On Resistance Rds(on) :400mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :5V
Threshold Voltage Vgs :2V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.00204
Tariff No. 85411000

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