图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:820 |
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最小起订量:50 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1122 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:681 |
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最小起订量:1 加州 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 Packaging Information |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 50A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 28 mOhm @ 31A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 67nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| RDS -于 | 28@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15 ns |
| 典型上升时间 | 25 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 126000 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 28@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.01(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 35 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | *IRFZ40PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 28 mOhm @ 31A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 67nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 35 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 28 mOhms |
| 功率耗散 | 126 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 上升时间 | 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 12 ns |
| 漏极电流（最大值） | 35 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.028 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 50 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 典型输入电容值@Vds | 1900 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 15.49 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 长度 | 10.41 mm |
| 技术 | Si |
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