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厂商型号:

IRFL014TRPBF

芯天下内部编号:
5-IRFL014TRPBF
生产厂商:

vishay / semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 2.7 A
RDS -于 200@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 50 ns
典型关闭延迟时间 13 ns
典型下降时间 19 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
Package Width 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 200@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
渠道类型 N
Package Length 6.7(Max)
引脚数 4
Package Height 1.8(Max) - 0.06
最大连续漏极电流 2.7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
单位包 2500
最小起订量 2500
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
供应商设备封装 SOT-223
其他名称 IRFL014PBFTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 200 mOhm @ 1.6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 300pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 11nC @ 10V
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Dual Drain
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 2.7 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 200 mOhms
功率耗散 2 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-223
上升时间 50 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 19 ns
漏极电流(最大值) 2.7 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.2 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 60 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :2.7A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :0.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :3.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900

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