vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4HVMDIP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A |
| RDS -于 | 280@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 68 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 29 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DIP |
| 包装高度 | 3.37(Max) |
| 最大功率耗散 | 1300 |
| 最大漏源电阻 | 280@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6.29(Max) |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 包装长度 | 5(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 1µA |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 其他名称 | *IRFD9020 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 280 mOhm @ 960mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 570pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 19nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.6 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 280 mOhms |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 68 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
| 下降时间 | 68 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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