vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A |
| RDS -于 | 3000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 1 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 3000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 Ohm @ 900mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 170pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 3 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 11 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 170 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 3 Ohms |
| 功率耗散 | 3 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 漏源击穿电压 | - 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 8 ns |
| 高度 | 4.83mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型输入电容值@Vds | 170 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns |
| 典型关断延迟时间 | 1 ns |
| 封装类型 | D2PAK |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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