vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| RDS -于 | 3000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 8.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 典型下降时间 | 16 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 3100 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 3000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 其他名称 | *IRF820SPBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 360pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 24nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 2.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 3 Ohms |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 8.8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 16 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Current,Drain | 2.5A |
| GateCharge,Total | 24nC |
| PackageType | D2-PAK |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 50W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 3Ohms |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 33ns |
| Time,Turn-OnDelay | 8ns |
| Transconductance,Forward | 1.5S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 500V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.6V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 系列 | IRF/SIHF820 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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