规格书 |
SQD15N06-42L |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 15A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 42 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 535pF @ 25V |
功率 - 最大 | 33W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 37000 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 42@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 2.39(Max) |
最大连续漏极电流 | 15 |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 2000 |
最小起订量 | 2000 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 15A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 2,000 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 42 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 33W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 535pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 15nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 15 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 42 mOhms |
功率耗散 | 2 W |
最低工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 9.5 nC |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
上升时间 | 8 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 | 7 ns |
Continuous Drain Current Id | :15A |
Drain Source Voltage Vds | :60V |
On Resistance Rds(on) | :0.037ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2V |
功耗 | :33W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-252 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
Voltage Vgs Max | :20V |
Weight (kg) | 0.0003 |
Tariff No. | 85412900 |
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