规格书 |
![]() SQ3460EV ![]() ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1060pF @ 10V |
功率 - 最大 | 3.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-74, SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 1.65 |
PCB | 6 |
最大功率耗散 | 3600 |
最大漏源电压 | 20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 30@4.5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TSOP |
标准包装名称 | TSOP |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 3.05 |
引脚数 | 6 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1(Max) |
最大连续漏极电流 | 8 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.6W |
封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1060pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 14nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | SQ3460EV-T1-GE3CT |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
连续漏极电流 | 8 A |
RDS(ON) | 30 mOhms |
功率耗散 | 3.6 W |
最低工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 9.3 nC |
典型关闭延迟时间 | 21 nS |
零件号别名 | SQ3460EV-GE3 |
上升时间 | 8 nS |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 8 nS |
Continuous Drain Current Id | :8A |
Drain Source Voltage Vds | :20V |
On Resistance Rds(on) | :0.025ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
Threshold Voltage Vgs | :600mV |
功耗 | :3.6W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TSOP |
No. of Pins | :6 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
Weight (kg) | 0.000033 |
Tariff No. | 85412900 |
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