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Thumbnail SIR662DP-T1-GE3 Thumbnail SIR662DP-T1-GE3 Thumbnail SIR662DP-T1-GE3
厂商型号:

SIR662DP-T1-GE3

芯天下内部编号:
5-SIR662DP-T1-GE3
生产厂商:

Vishay / Siliconix

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
Package Height 1.04
安装 Surface Mount
最大功率耗散 6250
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 2.7@10V
最大漏源电压 60
每个芯片的元件数 1
Package Width 5.89
供应商封装形式 PowerPAK SO
Package Length 4.9
PCB 8
最大连续漏极电流 35.8
引脚数 8
铅形状 No Lead
P( TOT ) 104W
匹配代码 SIR662DP-T1-GE3
R( THJC ) 1.2K/W
LogicLevel YES
包装 PwPAK SO-8
单位包 3000
标准的提前期 26 weeks
最小起订量 3000
Q(克) 95nC
LLRDS (上) 0.0035Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 60A
V( DS ) 60V
技术 TrenchFET
的RDS(on ) at10V 0.0027Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 60A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 PowerPAK® SO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.7 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 104W
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 4390pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 96nC @ 10V
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 60 A
正向跨导 - 闵 93 S
RDS(ON) 2.7 mOhms
功率耗散 104 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerPAK SO-8
零件号别名 SIR662DP-GE3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
栅极电荷Qg 64 nC
Continuous Drain Current Id :60A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :0.0022ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
功耗 :104W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900

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