所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.04 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 6250 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 2.7@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| Package Length | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 35.8 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| P( TOT ) | 104W |
| 匹配代码 | SIR662DP-T1-GE3 |
| R( THJC ) | 1.2K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | PwPAK SO-8 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 26 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| Q(克) | 95nC |
| LLRDS (上) | 0.0035Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS (上)在 | 4.5V |
| 我(D ) | 60A |
| V( DS ) | 60V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS(on ) at10V | 0.0027Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 60A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 104W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 4390pF @ 30V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 96nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 60 A |
| 正向跨导 - 闵 | 93 S |
| RDS(ON) | 2.7 mOhms |
| 功率耗散 | 104 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 |
| 零件号别名 | SIR662DP-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 栅极电荷Qg | 64 nC |
| Continuous Drain Current Id | :60A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0022ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :104W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
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