Vishay Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 69W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3200pF @ 20V |
| 其他名称 | SIR644DP-T1-GE3TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 71nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 60 A |
| 系列 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| RDS（ON） | 2.7 mOhms |
| 功率耗散 | 69 W |
| 商品名 | TrenchFET |
| 栅极电荷Qg | 47 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 上升时间 | 5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 5 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 1.04 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 长度 | 6.15 mm |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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