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数量:798 |
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规格书 |
SiHF8N50L |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1 Ohm @ 4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 34nC @ 0V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 873pF @ 25V |
功率 - 最大 | 40W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220 Full Pack |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流 | 8 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 1 Ohm |
配置 | Single |
封装 | Reel |
正向跨导gFS (最大值/最小值) | 2 S |
栅极电荷Qg | 22 nC |
功率耗散 | 40 W |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
供应商设备封装 | TO-220 Full Pack |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1 Ohm @ 4A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 40W |
标准包装 | 1,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 873pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 34nC @ 0V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
正向跨导 - 闵 | 2 S |
RDS(ON) | 1 Ohms |
工厂包装数量 | 50 |
系列 | E |
品牌 | Vishay Semiconductors |
身高 | 15.49 mm |
宽度 | 4.7 mm |
长度 | 10.41 mm |
商品名 | TrenchFET |
技术 | Si |
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