1. SIHF8N50L-E3
  2. SIHF8N50L-E3
  3. SIHF8N50L-E3

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SIHF8N50L-E3 

产品描述

MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP

内部编号

5-SIHF8N50L-E3

生产厂商

Vishay/Siliconix

vishay

#1

数量:798
1+¥10.5984
10+¥8.5471
100+¥6.8377
500+¥5.983
1000+¥4.9573
2000+¥4.6018
5000+¥4.4308
10000+¥4.0958
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SIHF8N50L-E3产品详细规格

规格书 SIHF8N50L-E3 datasheet 规格书
SIHF8N50L-E3 datasheet 规格书
SiHF8N50L
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS 1 Ohm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 0V
输入电容(Ciss)@ Vds的 873pF @ 25V
功率 - 最大 40W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220 Full Pack
包装材料 Tape & Reel (TR)
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流 8 A
抗漏源极RDS ( ON) 1 Ohm
配置 Single
封装 Reel
正向跨导gFS (最大值/最小值) 2 S
栅极电荷Qg 22 nC
功率耗散 40 W
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
供应商设备封装 TO-220 Full Pack
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1 Ohm @ 4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 40W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 873pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 0V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
正向跨导 - 闵 2 S
RDS(ON) 1 Ohms
工厂包装数量 50
系列 E
品牌 Vishay Semiconductors
身高 15.49 mm
宽度 4.7 mm
长度 10.41 mm
商品名 TrenchFET
技术 Si

SIHF8N50L-E3系列产品

SIHF8N50L-E3也可以通过以下分类找到

SIHF8N50L-E3相关搜索

订购SIHF8N50L-E3.产品描述:MOSFET 500V 8A 40W 1ohm @ 10V TO-220FP. 生产商: Vishay/Siliconix.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149466
    010-62178861
    010-82149488
    010-62110889
    010-62155488
    010-62165661
    010-62153988
    010-57196138
    010-82149921
    010-82149008
    010-82138869
    010-56429953
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67684200
    0512-67483580
    0512-67687578
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com