Vishay Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 连续漏极电流 | 15 A |
| 系列 | E |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| RDS（ON） | 280 mOhms |
| 封装 | Bulk |
| 功率耗散 | 34 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 5.6 S |
| 栅极电荷Qg | 96 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 上升时间 | 24 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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