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数量:526 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 45A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 38nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1510pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 10-PolarPAK® (U) |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK® (U) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 45A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK® (U) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 25W |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK® (U) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1510pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIE864DF-T1-GE3CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 45 A |
| RDS（ON） | 5.6 mOhms |
| 功率耗散 | 25 W |
| 零件号别名 | SIE864DF-GE3 |
| 配置 | Single |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 38 nC |
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