规格书 |
SIB452DK |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 190V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 135pF @ 50V |
功率 - 最大 | 13W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | PowerPAK® SC-75-6L |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L Single |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±16 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.75 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 2400 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 2400@4.5V |
最大漏源电压 | 190 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.6 |
供应商封装形式 | PowerPAK SC-75 |
包装长度 | 1.6 |
PCB | 6 |
最大连续漏极电流 | 0.67 |
引脚数 | 6 |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
供应商设备封装 | PowerPAK® SC-75-6L Single |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 13W |
标准包装 | 3,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 190V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 135pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6.5nC @ 10V |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | SIB452DK-T1-GE3CT |
连续漏极电流 | 0.67 A |
栅源电压(最大值) | �16 V |
功率耗散 | 2.4 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | PowerPAK SC-75 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :1.5A |
Drain Source Voltage Vds | :190V |
On Resistance Rds(on) | :1.8ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
Threshold Voltage Vgs | :1.5V |
功耗 | :13W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :PowerPAK SC75 |
No. of Pins | :6 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
Weight (kg) | 0.00005 |
Tariff No. | 85412900 |
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