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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SIB452DK-T1-GE3 

产品描述

MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V

内部编号

5-SIB452DK-T1-GE3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

数量:26980
3000+¥1.93
最小起订量:3000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:26980
20+¥4.394
40+¥4.227
200+¥3.214
400+¥3.107
800+¥3.028
最小起订量:20
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SIB452DK-T1-GE3产品详细规格

规格书 SIB452DK-T1-GE3 datasheet 规格书
SIB452DK
SIB452DK-T1-GE3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 190V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 135pF @ 50V
功率 - 最大 13W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® SC-75-6L
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L Single
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±16
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 0.75
安装 Surface Mount
最大功率耗散 2400
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 2400@4.5V
最大漏源电压 190
每个芯片的元件数 1
包装宽度 1.6
供应商封装形式 PowerPAK SC-75
包装长度 1.6
PCB 6
最大连续漏极电流 0.67
引脚数 6
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
供应商设备封装 PowerPAK® SC-75-6L Single
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 13W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 190V
输入电容(Ciss ) @ VDS 135pF @ 50V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6.5nC @ 10V
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SIB452DK-T1-GE3CT
连续漏极电流 0.67 A
栅源电压(最大值) �16 V
功率耗散 2.4 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 PowerPAK SC-75
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :1.5A
Drain Source Voltage Vds :190V
On Resistance Rds(on) :1.8ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.5V
功耗 :13W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PowerPAK SC75
No. of Pins :6
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.00005
Tariff No. 85412900

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