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规格书 |
![]() SIA411DJ |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 38nC @ 8V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1200pF @ 10V |
功率 - 最大 | 19W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | PowerPAK® SC-70-6 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 0.75 |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 3500 |
渠道类型 | P |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 30@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 2.05 |
供应商封装形式 | PowerPAK SC-70 |
包装长度 | 2.05 |
PCB | 6 |
最大连续漏极电流 | 8.8 |
引脚数 | 6 |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 19W |
标准包装 | 3,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1200pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 38nC @ 8V |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | SIA411DJ-T1-E3CT |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
连续漏极电流 | 8.8 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 30 mOhms |
功率耗散 | 3.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | PowerPAK SC-70-6L |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
零件号别名 | SIA411DJ-E3 |
上升时间 | 65 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 100 ns |
漏极电流(最大值) | 8.8 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �8 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.03 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 20 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
包装类型 | PowerPAK SC-70 |
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