图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SIA411DJ-T1-E3 

产品描述

MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V

内部编号

5-SIA411DJ-T1-E3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

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SIA411DJ-T1-E3产品详细规格

规格书 SIA411DJ-T1-E3 datasheet 规格书
SIA411DJ
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 38nC @ 8V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1200pF @ 10V
功率 - 最大 19W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® SC-70-6
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 Single
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 0.75
安装 Surface Mount
最大功率耗散 3500
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 30@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
包装宽度 2.05
供应商封装形式 PowerPAK SC-70
包装长度 2.05
PCB 6
最大连续漏极电流 8.8
引脚数 6
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 PowerPAK® SC-70-6 Single
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 19W
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 1200pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 38nC @ 8V
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SIA411DJ-T1-E3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 8.8 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 30 mOhms
功率耗散 3.5 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerPAK SC-70-6L
典型关闭延迟时间 40 ns
零件号别名 SIA411DJ-E3
上升时间 65 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 100 ns
漏极电流(最大值) 8.8 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �8 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.03 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
包装类型 PowerPAK SC-70

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