图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SI8439DB |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 8V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装材料 | * |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.9A (Ta), 9.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 8V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 4-Microfoot |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI8439DB-T1-E1CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | - 0.8 V |
| 连续漏极电流 | - 9.2 A |
| RDS（ON） | 25 mOhms |
| 功率耗散 | 2.7 W |
| 零件号别名 | SI8439DB-E1 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | - 8 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 33 nC |
| Continuous Drain Current Id | :-9.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :-8V |
| On Resistance Rds(on) | :0.02ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-400mV |
| 功耗 | :2.7W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :MICRO FOOT |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Weight (kg) | 0.00012 |
| Tariff No. | 85412900 |
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