vishay / semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 7@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.04 |
| 最大功率耗散 | 1800 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 7@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| Package Length | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7 mOhm @ 19A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 18nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7386DP-T1-E3CT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :12A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0058ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :1.8W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK SO |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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