Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1.04 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 1900 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 11@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| Package Length | 4.9 |
| PCB | 8 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.6 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.9W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 57nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 9.6 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 11 mOhms |
| 功率耗散 | 1.9 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SI7370DP-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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