图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:591 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 SI7326DN |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® 1212-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 25 V |
| 连续漏极电流 | 6.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 195 mOhms |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 零件号别名 | SI7326DN-GE3 |
| 上升时间 | 12 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 12 ns |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 1.04 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 长度 | 3.3 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
SI7326DN-T1-GE3也可以通过以下分类找到
SI7326DN-T1-GE3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家