图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:5082 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:3180 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:5770 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 Si7220DN |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 60 mOhm @ 4.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16805?mpart=SI7220DN-T1-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
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