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数量:2959 |
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规格书 |
![]() ![]() SI7148DP |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 75V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 28A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 11 mOhm @ 15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 100nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2900pF @ 35V |
功率 - 最大 | 96W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | PowerPAK® SO-8 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 75 V |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 28 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 11 mOhms |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | PowerPAK SO-8 |
封装 | Reel |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 5.4 W |
工厂包装数量 | 3000 |
零件号别名 | SI7148DP-GE3 |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 28A (Ta), 28A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 11 mOhm @ 15A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 96W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2900pF @ 35V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 100nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
RDS(ON) | 11 mOhms |
Continuous Drain Current Id | :28A |
Drain Source Voltage Vds | :75V |
On Resistance Rds(on) | :11mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2V |
No. of Pins | :8 |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412900 |
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