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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI7148DP-T1-GE3 

产品描述

MOSFET 75V 28A 96W 11mohm @ 10V

内部编号

5-SI7148DP-T1-GE3

生产厂商

Vishay/Siliconix

vishay

#1

数量:2959
1+¥23.26
10+¥20.7734
100+¥17.035
500+¥13.7941
1000+¥11.6336
最小起订量:1
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SI7148DP-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI7148DP-T1-GE3 datasheet 规格书
SI7148DP-T1-GE3 datasheet 规格书
SI7148DP
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 75V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 28A
Rds(最大)@ ID,VGS 11 mOhm @ 15A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 100nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2900pF @ 35V
功率 - 最大 96W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® SO-8
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant By Exemption
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 75 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 28 A
抗漏源极RDS ( ON) 11 mOhms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 PowerPAK SO-8
封装 Reel
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 5.4 W
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI7148DP-GE3
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 28A (Ta), 28A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 75V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PowerPAK® SO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 11 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 96W
输入电容(Ciss ) @ VDS 2900pF @ 35V
闸电荷(Qg ) @ VGS 100nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RDS(ON) 11 mOhms
Continuous Drain Current Id :28A
Drain Source Voltage Vds :75V
On Resistance Rds(on) :11mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
No. of Pins :8
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900

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