图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Si7116DN |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® 1212-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 7.8@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK 1212 |
| 标准包装名称 | PowerPAK 1212 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.04 |
| 最大连续漏极电流 | 10.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7116DN-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 16.4 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 7.8 mOhms |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 商品名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 封装/外壳 | PowerPAK 1212-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 零件号别名 | SI7116DN-GE3 |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 1.04 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 长度 | 3.3 mm |
| 技术 | Si |
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