图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SI4628DY |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 38A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 87nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3450pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 7.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 7.8W |
| 匹配代码 | SI4628DY-T1-GE3 |
| 安装 | SMD |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | SO-8 |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 15 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 87nC |
| LLRDS （上） | 0.0038Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 38A |
| V（ DS ） | 30V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0030Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25.4A (Ta), 38A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 7.8W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3450pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 87nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI4628DY-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 38 A |
| 正向跨导 - 闵 | 73 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 2.4 mOhms |
| 功率耗散 | 3.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 零件号别名 | SI4628DY-GE3 |
| 上升时间 | 20 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 13 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :38A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :2.4mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :7.8W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :38A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85411000 |
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