Vishay/Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4.5 A, 3.1 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 55 mOhms, 120 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 11 ns, 35 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 上升时间 | 11 ns, 10 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns, 12 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2400 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 55@10V@N Channel|120@10V@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N|P |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.5@N Channel|3.1@P Channel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
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