Vishay/Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.5 A, 5.7 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 35 mOhms, 45 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 10 ns, 14 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 上升时间 | 12 ns, 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns, 37 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
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