Vishay/Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A, 4.9 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 37 mOhms, 53 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 24 ns, 15 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 20 ns, 13 ns |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns, 25 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N|P |
| Maximum Drain Source Resistance | 37@10V@N Channel|53@10V@P Channel |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大连续漏极电流 | 5.8@N Channel|4.9@P Channel |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
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