Vishay/Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 6.9 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 34 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 零件号别名 | SI4484EY-GE3 |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 1800 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 34@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 4.8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.8A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 34 mOhm @ 6.9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 其他名称 | SI4484EY-T1-GE3TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :4.8A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :0.028ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :3.8W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :6.9A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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